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新聲研發團隊在IEEE IUS 2024發表D-BAW熱穩定性突破性研究：干膜材料創新助力5G射頻器件可靠性升級
2024年9月22-26日，在中國臺北舉行的IEEE IUS 2024國際會議上，新聲半導體研發團隊發表了題為 《A Comprehensive Thermal Stability Analysis of D-BAW Structures Employing Dry Film Bonding Materials》 的研究論文，并做口述報告。
04-17
新聲半導體突破性成果亮相IEEE IUS 2024國際會議：諧振器厚度補償技術顯著提升D-BAW晶圓均勻性與良率
2024年9月22-26日，在中國臺北舉行的IEEE IUS 2024國際會議上，新聲半導體研發團隊發布了題為?《D-Baw Uniformity Improvement by Resonator Thickness Compensation》?的重要研究成果，并做口述報告。
04-17
IEEE IUS 2024重磅發布：創新結構使濾波器插入損耗降低1dB，Q值顯著提升
（中國·臺北，2024年9月22日-26日），新聲半導體研發團隊在IEEE IUS 2024發布了題為 《Impact of a Trap-Rich Layer on the Performance of D-BAW Resonators》突破性研究成果，并做口述報告。
04-17
重磅：新聲半導體IEEE IUS 2024發布革命性玻璃晶圓封裝方案，破解濾波器"性能-成本"悖論
2024年9月22-26日，在中國臺北舉行的IEEE IUS 2024國際會議上，新聲半導體發布了標題為《Innovative Glass-Encapsulation for Double-Side Processed BAW Filters》的論文，并做口述報告。
04-17
IEEE IUS 2024發布優化釋放孔間隙設計，新聲半導體突破DBAW濾波器ESD防護難題
（中國·臺北，2024年9月22日-26日）新聲半導體在IEEE IUS 2024上發布了標題為《Improving ESD Robustness in DBAW Filters via Optimized Release Hole Clearance Design》的突破性研究成果，并做口述報告。
04-17
IC-MAM 2024首發——新聲半導體發布首款絕緣體上BAW濾波器，突破5G射頻性能邊界
2024年5月13-15日，在中國成都召開的2024微波聲學與力學國際會議（IC-MAM）上，新聲半導體發布了標題為《Wide-band and High-rejection RF Filters for 5G Applications Using BAW-on-insulator Technology》（基于絕緣體上BAW技術的5G寬帶高抑制射頻濾波器）的成果，并做口述報告。
04-17
新聲半導體多款濾波器通過AEC-Q200車規認證
新聲半導體成為國內首家通過車規級測試認證的濾波器企業
10-15
BAW的晶圓級封裝有哪幾種形式？
BAW濾波器的封裝與傳統IC封裝存在諸多不同，且工藝更加復雜。
05-27
FBAR是如何誕生的？
FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator）作為一種新型的濾波器技術平臺，具有高功率耐受、小尺寸、低插入損耗、高帶外抑制和可用于超高頻等優點
05-20
深圳新聲半導體有限公司入駐深圳新一代產業園
5月27日上午，深圳新聲半導體有限公司（以下簡稱：新聲半導體）正式入駐深圳新一代產業園，并舉行了入駐喬遷儀式。
05-31
辦公地址：深圳市福田區梅林街道梅都社區中康路 136 號深圳新一代 產業園 3 棟 801
電話：0755-86963703
郵箱：official_accounts@newsonictech.com
