IEEE IUS 2024重磅發(fā)布:創(chuàng)新結(jié)構(gòu)使濾波器插入損耗降低1dB,Q值顯著提升
作者:新聲半導(dǎo)體 時(shí)間:2025-04-17
(中國·臺(tái)北,2024年9月22日-26日),新聲半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)在IEEE IUS 2024發(fā)布了題為 《Impact of a Trap-Rich Layer on the Performance of D-BAW Resonators》突破性研究成果,并做口述報(bào)告。
論文首次揭示了“陷阱富集層”對(duì)載流子泄漏現(xiàn)象的顯著抑制作用。該特性直接促使諧振器品質(zhì)因數(shù)(Q值)獲得有效提升,并顯著優(yōu)化了濾波器的插入損耗性能。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)明確顯示,在相同條件下,采用陷阱富集結(jié)構(gòu)的FBAR濾波器其插入損耗絕對(duì)值較無此結(jié)構(gòu)濾波器降低了1dB,有力印證了陷阱富集層在提升器件整體性能中的關(guān)鍵作用。
新聲半導(dǎo)體已圍繞該技術(shù)布局多項(xiàng)國內(nèi)外專利,截至目前,新聲半導(dǎo)體已申請(qǐng)專利超過500項(xiàng),已授權(quán)的發(fā)明專利超過160項(xiàng),是國內(nèi)唯一沒有專利侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn),且大規(guī)模量產(chǎn)FBAR濾波器的廠商,并在D-BAW®生產(chǎn)工藝平臺(tái)、 TC-SAW工藝及結(jié)構(gòu)專利等方面進(jìn)行了全面的專利布局,構(gòu)建技術(shù)護(hù)城河。
關(guān)于新聲半導(dǎo)體
深圳新聲半導(dǎo)體有限公司自2020年3月啟動(dòng)籌備,2021年3月正式成立,是國家重點(diǎn)扶持的高新技術(shù)企業(yè)。公司在北京和上海分別設(shè)有研發(fā)中心,同時(shí)在深圳和西安設(shè)立了銷售與技術(shù)支持中心,并在蘇州設(shè)有分支機(jī)構(gòu)。新聲半導(dǎo)體致力于設(shè)計(jì)與銷售各類濾波器,包括BAW、SAW、TC-SAW、TF-SAW、IPD等,提供從濾波器、雙工器、多工器到模組的全系列產(chǎn)品,覆蓋6GHz以下全頻段。
關(guān)于IEEE IUS
IEEE IUS (IEEE International Ultrasonics Symposium,國際超聲研討會(huì)),是超聲技術(shù)領(lǐng)域最具影響力的國際學(xué)術(shù)會(huì)議之一。由 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Society (UFFC) 主辦,屬于IEEE的專業(yè)分會(huì)之一。是超聲領(lǐng)域發(fā)布前沿研究成果、交流技術(shù)進(jìn)展的核心平臺(tái),許多突破性技術(shù)在此首次公開。領(lǐng)域覆蓋:聚焦超聲技術(shù)及其應(yīng)用,包括醫(yī)學(xué)超聲、工業(yè)超聲、聲學(xué)傳感器、壓電材料、微納聲學(xué)器件等。